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最新消息| 資源免費下載|解鎖GaN功率級設計關于散熱的秘密! | 2022-06-27 |
| 文章来源：由「百度新聞」平台非商業用途取用"https://www.eet-china.com/mp/a33464.html" GaNFET實現了高頻電源轉換器設計。憑借出色的開關特性和零反向恢復損耗，這種輕量級設計具有更高的功率密度和更小的尺寸。為了充分利用GaN的快速開關速度，需要更大限度地減小電源環路電感。這需要仔細考慮PCB布局，并對GaNFET采用電感超低的封裝。TI的LMG341XRxxx系列采用8mm×8mm低電感底面冷卻的QFN封裝，可實現開關速度高于100Vns。良好的熱設計對于電力電子轉換器非常重要。理想的熱傳遞應在熱量流程中提供良好的導熱性和超低的熱阻。圖1-1顯示了典型的等效熱電路，其中包括GaNFET的結至外殼熱阻、PCB、熱界面材料(TIM)和散熱器。GaNFET的結溫是功率損耗和結至空氣總熱阻的函數。 關鍵字標籤：SMT加工 |
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